L’une des technologies en développement s’appelle la nano-RAM (NRAM). La NRAM remplace les transistors utilisés par le NAND par de minuscules nanotubes de carbone. Ceux-ci, découverts en 1992, comptent parmi les matériaux les plus solides connus et possèdent des propriétés électroniques uniques.
La NRAM utilise des nanotubes croisés comme éléments binaires : ils peuvent se trouver dans deux états au choix : soit ils se touchent, soit ils sont à peine séparés. Lorsqu’ils sont en contact, la résistance au courant électrique est faible et représente le chiffre binaire 1. Lorsqu’ils sont séparés, la résistance est haute et correspond au chiffre binaire 0. La mémoire à nanotube peut être lue en faisant passer un courant électrique au travers de l’élément pour mesurer sa résistance. Pour en modifier l’état, un courant électrique plus fort est appliqué brièvement aux éléments. S’ils sont séparés, cela crée une charge électrostatique qui attire les nanotubes, qui entrent alors en contact . S’ils sont déjà en contact, cela provoque une vibration qui les sépare. En résumé, la NRAM pourrait créer une mémoire non volatile de meilleure qualité.
De plus, non contente de consommer moins d’énergie que la Flash NAND, (ce qui permet d’améliorer la longévité de la batterie), la NRAM ne se dégrade pas avec le temps. Grâce à sa rapidité supérieure à celle de la NAND, elle pourrait être utilisée comme mémoire universelle, capable de remplacer à la fois le stockage permanent et la mémoire DRAM temporaire. Les ordinateurs « instantanés » pourraient alors devenir une réalité : il ne serait plus nécessaire d’attendre que la mémoire charge des données à partir d’une mémoire flash ou d’un disque dur.
Une fois la NRAM sur le marché, il deviendrait possible de stocker toutes vos vidéos, toute votre musique et tous vos documents sur votre smartphone. NANTERO produit déjà des mémoires NRAM. L’entreprise a récemment annoncé un programme de développement conjoint avec l’Imec, la plus grande institution de recherche en microélectronique d’Europe, pour le développement de la prochaine génération de NRAM.
